基于内聚力模型的InSb面阵探测器失效分析

摘要：

基于内聚力模型,运用ANSYS仿真软件研究了InSb芯片在N电极附近的脱落和碎裂问题.模拟结果显示:在N电极区域,InSb芯片沿隔离沟槽存在明显的脱落趋势;为了解InSb芯片碎裂失效分布状况,在InSb芯片中做切分处理,并在切分面上选取等间距内聚节点,得到了节点沿X轴方向的相对分离量,及相对分离量最大节点沿不同坐标轴的变化趋势.模拟结果中InSb芯片脱落失效区域和分离量较大的内聚节点所在位置与典型InSb焦平面探测器光学碎裂分布相吻合,这为后续研究InSb芯片中裂纹起源及扩展提供参考.

关键词：内聚力模型、InSb芯片、失效、脱落和碎裂

所属期刊栏目：43

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金项目61107083;航空科学基金20100142003

在线出版日期：2014-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1368-1371