InSb晶片材料性能表征与机理分析

摘要：

对2 in InSb(111)晶片材料位错密度、X光形貌、X射线双晶衍射半峰宽和电学参数进行了整片均匀性测试表征.结果表明材料整体性能极佳,并结合InSb晶体生长原理对晶片材料位错密度、掺杂浓度区域性分布进行了深层机理分析.

关键词：InSb晶片材料、性能表征、区域分布、机理分析

所属期刊栏目：43

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1146-1148