基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取

摘要：

器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义.本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K) BSIM3模型的参数提取.同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤.

关键词：MOSFET、BSIM3、参数提取

所属期刊栏目：43

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1051-1054