InSb材料光电导辐射太赫兹波理论研究

摘要：

分析基于光电导理论的太赫兹(THz)辐射原理,对基于锑化铟(InSb)半导体材料的光电导辐射过程进行理论推导,并获得太赫兹近远场辐射等参数.利用有限时域差分(FDTD)方法分析空域太赫兹波的传播过程,得到不同时刻太赫兹波传播的三维效果图.理论研究结果与文献实验数据较好吻合,证明研究方法的正确性.

关键词：太赫兹、光电导、锑化铟、有限时域差分

所属期刊栏目：43

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：重庆市自然科学基金项目CSTC2010BB2414

在线出版日期：2013-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：438-441