HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进

摘要：

在液相外延生长(LPE)的碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜(111)方向上蒸发生长碲化镉(CdTe)钝化层.在70 ～250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化镉钝化膜的蒸发生长.根据需要,对各样本进行150～300℃各个温度下的后期退火处理.运用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)观测技术表征碲化镉钝化膜的形貌结构、成分分布、晶体质量.结果表明,加热环境下蒸发生长碲化镉钝化膜可以消除常规蒸发生长中的柱状多晶结构,显著提高钝化品质；后期的退火处理还能进一步提高钝化膜质量.

关键词：碲化镉、碲镉汞、钝化、扫描电镜、透射电镜、二次离子质谱、X射线衍射

所属期刊栏目：42

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1263-1267