10.3969/j.issn.1001-5078.2012.11.002
GaN基紫外探测器发展概况
基于宽禁带半导体材料的GaN基紫外探测器由于具有探测波长可调、工艺兼容性好、结构可多型化等优点,已成为近年来的研究热点.介绍了四种不同结构类型的紫外探测器:光导型、肖特基势垒、金属-半导体-金属、p-i-n结,并回顾了GaN基紫外探测器的的研究历程.
GaN、紫外探测器、光电二极管
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TN23;TN36(光电子技术、激光技术)
2013-01-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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