Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究

摘要：

报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线；通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2；采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器.

关键词：硅基碲镉汞、分子束外延、工艺优化、RHEED、CdTe二次缓冲层

所属期刊栏目：42

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1161-1164