InSb中Be离子注入成结研究

摘要：

进行了InSb中Be注入成结实验研究.得到的二极管在77 K低背景下测得的特性为:正向电流-电压遵守Ioeqυ/βKT规律,其中β为1.6,在-0.1V时反向电流密度为2.14×10-7A/cm2,在-1V时反向电流密度为3.9×10-6 A/cm2,优值因子RoA为1.89×105Ωcm2.经装入结构测试,芯片光电性能达到生产要求水平.

关键词：InSb、Be离子注入、PN结

所属期刊栏目：42

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：161-164