GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究

摘要：

GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4V时,测得响应电流8.9×10-9 A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90％.基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声.实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5V时,50 μm×50 μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107 V/W的电压响应率.

关键词：量子点、量子效率、响应率、微光探测、CTIA读出

所属期刊栏目：42

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家科技部重大科研项目2006CB932802,2011 CB932903;上海市配套项目078014194

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：59-62