氧等离子环境下影响多孔硅光学特性的因素

摘要：

研究了多孔硅(porous silicon,PS)在氧等离子体环境中退火温度和存储时间对PS光学稳定性的影响.通过光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱对系列样品进行分析.高斯拟合结果显示PL谱由三个高斯峰叠加而成,其中至少两个高斯峰是由非量子限制效应造成的,即第一峰面积的变化与Si=O双键密切相关,第三峰面积的变化与Si-O-Si桥键以及SiHχ(χ=1,2)键有关;退火温度对以上两个峰的强弱变化有直接影响.

关键词：多孔硅、快速退火氧化、非量子限制效应

所属期刊栏目：41

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金项目LZ20082804

在线出版日期：2011-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：788-792