中短波HgCdTe金属接触的退火研究

摘要：

为制备良好的碲镉汞金属接触,研究了热退火处理对中短波Hg空位掺杂碲镉汞金属接触的影响.对中短波HgCdTe-Sn/Au接触及中波HgCdTe-Cr/Au接触经不同条件退火后的接触进行了测量.对于短波碲镉汞,p型HgCdTe-Sn/Au接触经95℃,30 min退火可降低比接触电阻2个量级,而经125℃,30 min退火可降低3个量级;离子注入的n型HgCdTe-Sn/Au接触则容易形成欧姆接触.对于中波碲镉汞,退火前p型HgCdTe-Sn/Au接触平均比接触电阻为10-1Ωcm2量级,经适当条件退火可以降低3个量级;此外,Sn/Au比Cr/Au更适合作为中波HgCdTe的接触金属.因而HgCdTe金属接触可通过一定退火处理得到改善.

关键词：碲镉汞、MS接触、退火、欧姆接触

所属期刊栏目：41

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2011-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：542-547