3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究

摘要：

报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性.

关键词：碲化镉、硅基、分子束外延

所属期刊栏目：41

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2011-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：537-541