808 nm半导体激光器的温度特性

摘要：

用波长漂移法测试了808 nm半导体激光器额定功率分别为1 W,2 W,3W的器件在不同的输出功率下的热阻,得到额定功率为1 W的器件在输出功率为1 W时的热阻最小为4.28 K/W,额定功率为2 W的器件在输出功率为2 W时的热阻最小为5.45 K/W,额定功率为3 W的器件在输出功率为3 W时的热阻最小为5.5 K/W.并对额定功率为3 W的器件在不同的占空比下进行了测试,0.5%占空比脉冲条件下温升相当于持续条件下温升的19.6%.并用ANSYS模拟了器件温度随时间的变化,得出脉冲的特点是1 ms温升就能达到稳态的50%,0.1 s就能达到稳态的95%以上.

关键词：半导体激光器、热阻、ANSYS、温度

所属期刊栏目：40

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2011-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1306-1309