掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜,在低温下以氧气为气源,等离子体氧化非晶氮化硅薄膜,以这层薄作为有源层制备电致发光器件.实验结果表明以此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光,发光峰位于540 nm,而且电致发光开启电压低,仅为6 V,功耗小.光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光中心,即与Si-O相关的发光中心.

关键词：氮化硅、电致发光、光致发光

所属期刊栏目：40

分类号：TN24(光电子技术、激光技术)

资助基金：广东省自然科学基金项目8152104101000004

在线出版日期：2010-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：901-903