10.3969/j.issn.1001-5078.2010.05.013
激活退火对As掺杂型HgCdTe材料的影响
研究了激活退火热处理过程对As掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测量了退火前后材料组分的变化.实验结果表明,在相同温度和相同时间的热处理条件下,外延层的厚度越厚,热处理对材料组分的影响越小;在相同温度不同时间的热处理过程中,随着时间增加,材料的组分变化也随之增加,并且,外延层越厚,组分的变化量也越小.
碲镉汞、As掺杂、激活退火
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TN213(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金项目60876012,60606026
2010-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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