偏置电压对日盲型AlGaN探测器性能的影响

摘要：

偏置电压对AlGaN器件有两方面的影响,一方面偏置电压会对内部两级放大器各MOS管的工作状态产生影响,在应用中应合理地设置使各管工作在恰当状态;另一方面偏置电路上叠加的纹波也是一种噪声源,会耦合到探测器的输出.本文首先是理论推导影响输出的各种因素,再利用spice模型仿真单元运放偏置电压V_(bias)、参考电压V_(ref)、正电源V_(dd)、地V_(ss)对读出噪声的贡献,最后结合实际图像,直观地表现偏置电压对图像的影响.从而对探测器读出电路设计者和日盲型AlGaN探测器的应用者提供合理的设计和配置原则.

关键词：GaN/AlGaN、偏置电压、日盲、spice仿真

所属期刊栏目：40

分类号：TN23(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目A-6

在线出版日期：2010-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：260-263