InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究

摘要：

利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析.采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70～90 nm/min,刻蚀台阶垂直度～80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低.与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀.台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320 x256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23 μm×23 μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ.

关键词：InSb、感应耦合等离子、反应刻蚀、台面形貌、I-V曲线

所属期刊栏目：39

分类号：TN364(半导体技术)

在线出版日期：2009-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：948-951