P型ZnO薄膜的研究进展

摘要：

氧化锌(ZnO)具有适合基于pn结的各种光电器件,例如紫外光子探测器、发光二极管和激光二极管等应用的理想性质.虽然多年来巳可获得高质量的n型ZnO,但是由于本征缺陷的自补偿效应较强等原因,稳定低阻且为P型导电的ZnO薄膜一直难于制备.通过对部分有关文献的归纳分析,主要介绍了近年来在P型掺杂方面的进展,以及不同方法制备的P型ZnO薄膜的空穴浓度、迁移率及电阻率等性能参数.

关键词：ZnO、P型掺杂、光电器件

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2+2(半导体技术)

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：799-803