InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究

摘要：

采用Cl2/BCl3/舡感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀.讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响.初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺.利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04 X1012cmHz1/2W-1.

关键词：感应耦合等离子体、Cl2/BCl3/Ar、InGaAs、PIN、探测器

所属期刊栏目：39

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目B2-1.C2-32

在线出版日期：2009-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：411-414