10.3969/j.issn.1001-5078.2009.03.014
碲镉汞液相外延薄膜典型缺陷及其起源分析
通过碲镉汞液相外延薄膜的典型缺陷的研究,结合国内外的研究现状,综述了各种缺陷的特征、起因、消除方法等.通过对HgCdTe液相外延层中常见的缺陷进行归纳和总结,探讨各种缺陷的可能起因,以达到提高液相外延工艺水平的目的.
HgCdTe、液相外延、缺陷、CdZnTe衬底
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TN213(光电子技术、激光技术)
2009-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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