飞秒激光作用下硅材料的热力响应

摘要：

为描述飞秒激光辐照半导体材料的热力响应过程,扩展了热电子崩力和自恰场两种模型,得到了完全耦合的非线性热弹方程组.在单轴应力条件下,利用有限差分法,计算了500fs脉冲激光作用下硅膜内载流子温度、晶格温度、热应力和热电子崩力的变化情况,同时考虑了能量密度和薄膜厚度两个因素的影响.数值结果表明:能量密度越高达到热平衡所需的时间就越长;对于比较薄的硅膜,随着激光作用时间的增加,热应力的双峰逐渐增加并由前后表面同时向薄膜的中间移动.

关键词：飞秒激光、超快热弹模型、硅膜、热应力

所属期刊栏目：39

分类号：O437;O472(光学)

在线出版日期：2009-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：260-263