应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究

摘要：

薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察.由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率.应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因.定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究.计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中AlGaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率.

关键词：应力补偿型量子阱、InGaN、发光二极管、数值模拟

所属期刊栏目：38

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10474020;中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目C2-14

在线出版日期：2008-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1023-1026