GaN肖特基器件电学性质的模拟研究

摘要：

基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究MIS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响.模拟结果显示MIS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开启电压,提高自身的电场强度,降低暗电流,而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布,对器件的正向电流有比较明显的影响.通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构,提高器件性能.

关键词：肖特基器件、界面层、本征层、隧穿效应、暗电流

所属期刊栏目：38

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：902-905