InSb晶片湿法化学刻蚀研究

摘要：

随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FPA的填充因子.通过实验,介绍一种湿法刻蚀工艺,可以较好解决上述问题.

关键词：红外探测器、焦平面、湿法刻蚀、锑化铟

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.2+3(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：899-901