Kink效应对低温CMOS读出电路的影响

摘要：

在深低温下(T＜50K),CMOS器件会出现Kink效应,即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲.当漏源电压较大时(Vds＞4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系.本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性;对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性.最后,针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行分析和研究,提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案.

关键词：Kink效应、CMOS读出电路、低温、非线性、宏模型

所属期刊栏目：37

分类号：TN386.5(半导体技术)

在线出版日期：2007-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：990-992