高Al组分N-AlxGa1-xN材料的欧姆接触

摘要：

基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti,Al易被氧化的特点,在高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料上溅射生长多层金属Ti/Al/Ti/Au,并且变化Ti,Al比例以及改变退火温度和时间,得到了金属与高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料间的欧姆接触,由传输线模型方法测试得比接触电阻为4.9×10-2 Ω·cm2.实验中用到的样品为P(Al0.45Ga0.55N)/i(Al0.45Ga0.55N)/N-Al0.63Ga0.37N多层结构的材料.最后,利用伏安特性和俄歇电子能谱深度分布(AES)研究金属与高Al组分的材料之间形成欧姆接触的原因.

关键词：欧姆接触、高Al组分、N-AlxGa1-xN材料

所属期刊栏目：37

分类号：TN23(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2007-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：967-970