HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

摘要：

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.

关键词：HgCdTe、刻蚀掩模、干法刻蚀、磁控溅射、SiO2

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2007-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：928-930