束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

摘要：

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关.采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析.并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe.两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质.

关键词：HgCdTe、表面缺陷、分子束外延

所属期刊栏目：37

分类号：TN215;TN304.054(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2007-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：915-918