10.3969/j.issn.1001-5078.2007.06.018
氮化铝薄膜的椭偏法研究
文章采用真空磁过滤电弧离子镀法在单晶Si(100)基片上成功制备了氮化铝(AlN)薄膜,并利用椭偏法对AlN膜进行了研究.根据沉积方法的特点,建立合适的膜系进行拟合,得到薄膜的折射率、消光系数和几何厚度;分析薄膜与基片之间的附着方式为简单附着,以及引起薄膜材料比块体材料折射率偏小的原因为:薄膜中含有空隙,Al/N不符合化学剂量比,薄膜表面形成了Al2O3钝化层.
椭偏仪、AlN薄膜、光学常数
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O484.4+1(固体物理学)
2007-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
548-551