10.3969/j.issn.1001-5078.2007.02.017
用于铬原子光刻的超高真空原子源的研制
原子光刻技术中,良好原子源的产生是最为基础的条件.针对实验中对原子束的具体要求,设计了一套超高真空原子源产生装置,主要参数为:系统工作真空度优于 5.0×10-5Pa,铬原子源温度为1650℃,铬原子最可几速率为960m/s,原子炉口所喷射出的铬原子数为N=1.5×1017s-1.
原子光刻、铬原子源、超高真空
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TN305.7(半导体技术)
上海市科技发展基金0259nm-034
2007-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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