激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底

摘要：

在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底.采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底.激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合,对GaN薄膜起到了很好的支撑作用.同时铜的延展性好,使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放,保持了剥离后GaN薄膜的完整性.激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱(XPS)分析显示,激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结合形成Ga2O3,这是剥离后GaN表面后处理困难的原因,并给出了相应的解决方法.

关键词：GaN、激光剥离、SEM分析、XPS分析

所属期刊栏目：37

分类号：TN36;TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB604902;北京市属市管高等学校人才强教计划05002015200504;北京市教委资助项目KZ200510005003;国家自然科学基金60506012

在线出版日期：2007-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：62-65