窄禁带半导体的光电跃迁效应

摘要：

光电跃迁效应是窄禁带半导体红外探测器的基本物理过程.本文主要论述窄禁带半导体碲镉汞的带间光吸收跃迁的理论和实验.文中阐述了带间光吸收效应的基本规律的发现及其科学意义,介绍了这些规律在碲镉汞红外探测器材料器件设计中的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用.

关键词：光电跃迁、窄禁带半导体、碲镉汞、红外探测器

所属期刊栏目：36

分类号：O471.5(半导体物理学)

在线出版日期：2006-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：759-765