辅助镀膜用K系列强流宽束考夫曼离子源

摘要：

文章介绍了新型K系列多会切场强流宽束离子源(MCLB-8,16,18).由于采用新型多会切磁场和优化的引出系统,该系列源在薄膜辅助沉积的能量(200～1000eV)范围内,具有良好的低能特性和束流分布均匀性,可使用反应气体或惰性气体工作.因此该系列源可用于各种高性能薄膜制备的大面积辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜(DLC).文中介绍了该系列源的结构及性能.

关键词：多会切磁场、低能、宽束、离子源

所属期刊栏目：36

分类号：TN305.8;O539(半导体技术)

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1168-1170