反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算

摘要：

采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞(HgCdTe)环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的.

关键词：PN结、环孔PN结、电容、碲镉汞

所属期刊栏目：36

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1139-1141