高Al组分AlGaN及其光导器件

摘要：

在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长了掺Si的n型Al0.45Ga0.55N外延层,透射光谱表明材料对280nm以前紫外光显著吸收;双晶摇摆曲线表明材料存在大量缺陷.用此材料制作了光电导探测器,结合材料讨论了持续光电导效应的产生机理.

关键词：AlGaN、紫外光、持续光电导性

所属期刊栏目：36

分类号：TN36;TN23(半导体技术)

在线出版日期：2006-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：868-870