InSb晶体表面碟形坑缺陷

摘要：

文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后,经择优腐蚀后呈碟形坑的表面微缺陷.结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺陷,一部分由扩散诱生.分析后认为由扩散诱生这类缺陷的原因主要为晶片表面粘污,已证实清洗更洁净的晶片,能有效抑制扩散过程中诱生的这类缺陷.

关键词：InSb、碟形坑缺陷、扩散

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.2+3;O483;O77+9(半导体技术)

在线出版日期：2006-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：26-28