HgCdTe外延材料表面腐蚀坑特性的研究

摘要：

文中对Schaake[1]和Chen[2]两种腐蚀剂在{111}B的HgCdTe外延材料上形成的腐蚀坑特性进行了研究.通过实验确定了两种腐蚀剂的最佳腐蚀时间,实验结果发现两种方法都在外延材料表面产生了两种不同类型的腐蚀坑,Schaake腐蚀坑是一种为三角形,另一种为腰果状,而Chen腐蚀坑是侧向腐蚀面坡度不同的两种三角形.实验进一步证明Chen的较陡三角形腐蚀坑和Schaake的两种腐蚀坑具有位错腐蚀坑的特性,并且我们发现大部分位错具有穿越特性,而且位错线方向与<111>方向具有一定的角度.实验观察发现,宏观缺陷附近的腐蚀坑密度会有比较大的增值.

关键词：HgCdTe、腐蚀坑、位错、腐蚀剂

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.2+5;D472+.1(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：845-848