采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

摘要：

文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.

关键词：CdZnTe衬底、HgCdTe薄膜材料、液相外延

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.054;TN304.2+5(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：842-844