碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究

摘要：

利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能.

关键词：光电子谱、HgCdTe、表面硫化、电学性质

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.2;O472+.1(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：835-836,848