10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.008
HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 × 256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm.
HgCdTe、微台面结构、干法刻蚀、侧向钝化
35
TN205;TN305(光电子技术、激光技术)
2005-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
826-828