首次全国先进焦平面技术研讨会论文选序

摘要：

@@ 焦平面成像器件技术已经发展了三十余年.红外焦平面材料体系从PbSnTe、InSb、PtSi、HgCdTe到Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InGaAs、QWIP、VOx以及铁电材料,探测机理从光子型发展到热敏型,读出电路从SiCCD发展到CMOS,焦平面规模从当初的32×32发展到今天的320×256、2048×2048,探测波段从单一红外发展到多色探测,甚至扩展到紫外领域.新的材料、新的探测结构层出不穷,发展十分迅猛.

机标关键词：红外焦平面、技术研讨会、探测机理、族化合物半导体、铁电材料、探测波段、读出电路、成像器件、材料体系、热敏型、结构层、紫外、扩展、光子、多色

所属期刊栏目：35

分类号：G31;F20

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：799