大直径HgCdTe晶体生长研究

摘要：

大直径(φ=40mm)HgCdTe晶体生长过程中存在两大难题,一是高汞压引起的生长管爆炸,二是严重的组份分凝引起的组份不均匀.文中对这两大难题进行分析,得到解决这两大难题的方法:一是在生长管外施加一定气压来抵消生长管内的部份汞气压;二是从低熔点的低组分HgCdTe熔体中生长出较高组分的HgCdTe晶体,从而降低生长温度,这样即可降低汞气压,又可减小组分分凝;三是加高组分HgCdTe到低组分HgCdTe熔体中以补充CdTe的消耗,从而生长出纵向组分均匀性好的晶体.

关键词：大直径HgCdTe、晶体生长、加压Bridgman法

所属期刊栏目：34

分类号：TB381(工程材料学)

在线出版日期：2004-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：197-199,212