GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究

摘要：

研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA).器件为双异质结增异导引氧化物条形结构.采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级.并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29%、71%提高到90%以上,进一步提高激光输出.保护器件端面、提高器件使用寿命.

关键词：大功率LD、半导体功率放大激光器、谐振腔

所属期刊栏目：33

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：428-429