激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究进展

摘要：

简要介绍了当前国内外激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究现状.介绍了目前激光烧蚀法制备的实验装置及所采用的激光束参数.比较了不同实验结果中在纳米丝结构和生长方向等方面的差异,并分析了半导体纳米丝生长的VLS金属催化机理和氧化物辅助生长模型,我们认为Si-金属混合物作靶时金属催化作用对纳米丝的生长起主要作用,而在Si-氧化物混合物作靶时,氧化物辅助作用将占主导地位.

关键词：激光烧蚀、半导体、纳米丝

所属期刊栏目：32

分类号：TB383(工程材料学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：67-69