GexC1-x非均匀增透保护膜系的设计和制备

摘要：

用射频磁控反应溅射法(RS)制备出GexC1-x薄膜,其折射率可以在1.7～4.0之间变化.设计出单层GexC1-x非均匀增透保护膜和含有GexC1-x非均匀膜的多层增透保护膜系,并在ZnS基片上制备出GexC1-x单层非均匀增透保护膜.设计和实验结果表明,ZnS衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透,在5000～850cm-1波数范围内,平均透过率从67.19%提高到78.70%,比未镀膜净增加11.51%.

关键词：碳化锗薄膜、非均匀膜、增透保护膜系、膜系设计、膜系制备

所属期刊栏目：31

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：军队预研项目J12.2.8;陕西省自然科学基金99C29

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：253-255