半导体微腔激光器中的自发辐射耦合增强效应

摘要：

针对半导体微腔激光器的结构特点,以及腔量子电动力学中自发辐射增强效应,采用光增益与载流子密度的对数关系,引入增益饱和项和非辐射复合项的贡献,指出即便是对于理想的封闭微腔,由于非辐射衰减速率的影响,光输出并不随泵浦线性变化.结合频谱和相图分析,给出了自发辐射耦合因子与微腔激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量关系的仿真结果,这对于微腔激光器的理论研究和优化器件结构有所裨益.

关键词：半导体微腔激光器、自发辐射耦合因子、阈值、瞬态响应

所属期刊栏目：31

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69777019;铁道部科技发展基金97×21

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：215-217，224