文献信息
一、激光技术1012 空间应用的三维跟踪与成像激光扫描器 Three-dimensional tracking and imaginglaser scanner for space operations. Laurin D G,et al.Proc.SPIE,3707:278～289 本文介绍了一台激光测距扫描器的研制，它可作为空间应用的三维传感器，该扫描器是一种表面成像、目标测距和跟踪的多功能系统，采用人眼安全激光器。1013 多功能激光雷达 Multifunction laser radar. Hutchinson J A, et al. Proc. SPIE, 3707:222～234 本文介绍了美国陆军研制的眼睛安全激光雷达，它同时具有三维成像、指示与测距的功能。其主要技术涉及到先进的二极管阵列泵浦Nd∶YAG激光器设计、高亮度光学参量振荡器的设计以及单片光电探测器阵列。1014 机载激光先进技术(2) Airborne Laser Advanced Technology II.Proc.SPIE,3706:370p 本会议录共收集37篇文章，其中有：机载激光光束控制试验演示器，机载激光先进概念试验台，机载激光系统中噪声抑制，一台搜索、跟踪、瞄准与射击控制系统的设计与研制，自动编码产生对机载激光的应用等。1015 被动Q开关连续二极管泵浦掺Nd的YAG与YVO4激光器 Passive Q-switched cw diode-pumped Nd-doped YAG and YVO4 lasers. Kalisky Y Y，et al. Proc. SPIE,3610:109～113 本文广泛研究了被动Q开关连续二极管泵浦掺Nd的YAG与YVO4激光器的特性，在比较高的泵浦功率，采用两种泵浦方式，即一圆锥形微型透镜耦合二极管阵列的横向泵浦，与光纤耦合二极管阵列的纵向泵浦。1016 具有两个内腔倍频器的高效率蓝光连续Nd∶YAG微型芯片激光器 Efficient blue cw Nd∶YAG microchip laser with two intracavity frequency doublers. Volker Gaebler, et al. Opt. Lett.,2000，25(18):1343～1345 本文介绍了一种含有半单片Nd∶YAG KNbO3芯片与二倍频晶体kNbO3的微型芯片腔，采用808nm 1W单条状二极管泵浦可取得在473nm高达30mW输出功率。1017 激光材料的表征与应用 Characterization and Application of Laser Materials. Proc.SPIE,3724:323～367 本部份共汇编8篇论文。其中有：Nd∶YVO4激光晶体的生长和光学特性，YAG∶V3+单晶生长及有关特性，用于Nd∶YAG激光谐振腔被动Q开关的掺Te的GaAs晶体，YAG∶Ce单晶中由于共掺杂与电离辐射处理而引起光学特性的变化，YAG∶V3+晶体中电子自旋共振与光学测量，YAG∶Cr4+外延薄膜的生长和表征，由紫外光脉冲而导致的YAP晶体中瞬时光学过程等。二、红外技术1018 HgCdTe凝视焦平面阵列中的串音研究 Crosstalk Investigations in HgCdTe staring focal plane arrays. Boltar K O, et al. Proc. SPIE, 3819:32～36 本文研究了32×32及128×128HgCdTe凝视焦平面阵列中的串音问题，这些焦平面是通过铟柱把HgCdTe光电二极管连接到硅MOS多路传输器而构成的。还给出实验结果。1019 128×128和384×288HgCdTe凝视焦平面阵列 128×128 and 384×288 HgCdTe staring focal plane arrays. Bovina L A, et al. Proc.SPIE, 3819:9～15 本文研究了长波红外凝视128×128t 384×288焦平面阵列(FPA)，FPA是以LPE和MBE生长的HgCdTe外延层为基础制备的，光电二极管阵列通过采用铟柱连接到硅MOS多路传输器上。1020 基于128×128HgCdTe凝视焦平面阵列的红外成像仪 IR imager based on a 128×128 HgCdTe staring focal plane array. Botar K O,et al.Proc.SPIE,3819:92～97 本文研究的红外成像仪是由128×128HgCdTe焦平面阵列(用铟柱与硅MOS多路传输器连接)、斯特林致冷器与电子信号处理器构成，其噪声等效温度差少于0.1K。1021 位错对LWIR HgCdTe光电二极管性能的影响 Effect of Dislocations on performance of LWIR HgCdTe photodioes. Jówikowski K,et al. J.Electron. Mater.,2000，29(6):736～742 本文提出了HgCdTe三元合金中位错对少数载流子寿命影响的数值模型。通过对理论预测值与其他作者所得到载流子寿命试验数据的比较，确定了位错范围(radius)及其表面复合速度。1022 HgCdTe/CdZnTe系中若干临界厚度 Critical thickness in the HgCdTe/CdZnTe system.Berding M A,et al.J.electron.Mater.,2000,26(6):676～679 本文分析了在Cd1-yZnyTe衬底上的Hg1-xCdTe的临界厚度与x和y之间的关系，并且说明，为了产生无位错外延层需要严格控制其衬底组份。1023 具有均匀特性的大尺寸Hg1-xCdxTe单晶生长的最新成果 Recent achievements in the gwrowth of large-size Hg1-xCdxTe single crystals with homogeneous properties. Lakeenkov V M， et al. Proc. SPIE 3819:150～160 作者采用改进布里奇曼法已生长出直径大于50mm的Hg1-xCdxTe单晶，研究了不同生长条件的单晶组份均匀性、电特色与结构特性。
焦平面阵列、机载激光、二极管阵列、focal plane arrays、激光器、光电二极管、二极管泵浦、多路传输器、光学特性、载流子寿命、晶体、红外成像仪、单晶生长、扫描器、微型芯片、临界厚度、空间应用、技术、激光雷达、single crystals
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TN2;O43
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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