HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进

摘要：

HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成-淬火-退火三个过程,本文对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的效果.用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器.

关键词：HgCdTe、晶体生长、固态再结晶、热浴淬火

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.2+5(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：45-47