具有阶梯型超晶格电子阻挡层和楔形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

摘要：

为了提升深紫外激光二极管(DUV LDs)的载流子注入效率,优化其工作性能,提出了阶梯型超晶格(SSL)电子阻挡层(EBL)和楔形(WS)空穴阻挡层(HBL)结构.使用Crosslight软件分别仿真了具有矩形EBL和HBL、矩形超晶格(RSL)EBL和塔形(TS)HBL以及SSL EBL和WS HBL的DUV LDs.仿真结果表明,SSL EBL和WS HBL更有效地增加了量子阱(QWs)中的载流子注入,减少了非有源区的载流子泄漏,提高了辐射复合率,降低了阈值电压和阈值电流,提高了DUV LDs的输出功率和电光转换效率.

关键词：激光器、深紫外激光二极管、AlGaN、阶梯型超晶格、阻挡层

所属期刊栏目：60

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;国家重点研发计划;智汇郑州;聚才计划;宁波科技创新重大专项

在线出版日期：2023-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：329-336