氧化限制结构940nm垂直腔面发射激光器

摘要：

为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析.通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为量子阱,并开展了增益-腔模失配设计.在设计优化的基础上,制备了 6种氧化孔径的940 nm VCSEL,对其光电输出特性进行测试.结果表明:氧化孔径为4 μm的VCSEL,室温下斜率效率为0.93 W/A,最大功率转换效率为 40.1%;氧化孔径为 7 μm的VCSEL,室温下最大输出功率为 12.24 mW;氧化孔径为 2 μm的VCSEL,室温下最大基横模功率为2.67 mW.该器件在2 mA连续驱动电流下,在10～80℃的范围内均可实现边模抑制比大于45 dB的基横模输出.

关键词：激光器、垂直腔面发射激光器、氧化限制结构、基横模、孔径

所属期刊栏目：60

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金62134008

在线出版日期：2023-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：223-230